【摘 要】
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利用四探针技术对Φ6.5mm×8.9mm的半导体锗单晶圆片的电阻率进行测定,并采用了A、B、C等三种选点方案,结果表明:方案B用少量的测试点就能测定和计算出锗单晶的电阻率和不均
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利用四探针技术对Φ6.5mm×8.9mm的半导体锗单晶圆片的电阻率进行测定,并采用了A、B、C等三种选点方案,结果表明:方案B用少量的测试点就能测定和计算出锗单晶的电阻率和不均匀性,它不仅反映出材料的真实性和保证其可靠性,而且简化了试验程序。
The resistivity of Φ6.5mm × 8.9mm semiconductor germanium single wafer was measured by four-probe technique, and three selection schemes of A, B and C were adopted. The results showed that the solution B used a small number of test points It is possible to measure and calculate the resistivity and the inhomogeneity of the germanium single crystal, which not only reflects the authenticity of the material and ensures its reliability, but also simplifies the test procedure.
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