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研究了利用水平氢化物气相外延（HVPE）系统在蓝宝石衬底上外延氮化镓（GaN)的生长规律，重点研究了作为载气的氮气流量对GaN膜的结构及光学性质的影响。观察到载气流量对预反应的强弱有很大影响，外延膜的质量和生长速度对载气流量极为敏感。当载气流量较小时，样品的X射线衍射谱（XRD）中出现了杂峰（10-11）和（11-20），相应的光致发光谱（PL）中出现了黄带（YL），靠近带边有杂质态。而当载气流量大增时，样品质量改善。GaN外延膜的结构和光学性质的相关性表明深能级的黄带与生长过程中产生的非c轴方向晶面有关