【摘 要】
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一、引言 薄膜工艺中通常使用的等离子体是在低气压下通过直流、射频或微波辉光放电产生的,不同的气体,可以在10-3到102P Pa的压力范围内工作。这种等离子体的电子温度Ne的典
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一、引言 薄膜工艺中通常使用的等离子体是在低气压下通过直流、射频或微波辉光放电产生的,不同的气体,可以在10-3到102P Pa的压力范围内工作。这种等离子体的电子温度Ne的典型值在109～1012cm-3之间,电子温度Te在1和10eV之间。离子温度Ti低得多,Ti≤0.1eV。低压辉光放电伪等离
I. INTRODUCTION The plasma commonly used in thin film processes is produced by direct current, radio frequency, or microwave glow discharge at low pressures, with different gases that can operate at pressures ranging from 10-3 to 102 Pa. The typical plasma electron temperature Ne is between 109 and 1012 cm-3 and the electron temperature Te is between 1 and 10 eV. Ti ion temperature is much lower, Ti ≤ 0.1eV. Low pressure glow discharge pseudo-plasma
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