n-Mg2Si/p-Si异质结太阳电池的模拟及分析

来源 :贵州大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:javajava2010
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运用AMPS-1D软件对n-Mg,Si/p-Si异质结太阳电池进行模拟,依次讨论了Mg2Si层厚度、掺杂浓度和温度对电池性能的影响。结果表明:随着Mg2Si层厚度的增加,短路电流和转换效率均有较大提高;开路电压也略有升高。随着温度升高,短路电流逐渐升高,转换效率、开路电压及填充因子均不断降低。室温下,Mg2Si层轻掺杂时的掺杂浓度在5×10^19cm^-3处,转换效率达到最大值5.518%。而同样条件下Mg2Si层重掺杂时的转换效率更高,当掺杂浓度达到10^21cm^-3后,转换效率最大值为11
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