【摘 要】
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在室温条件下,通过射频磁控溅射法在柔性衬底PET上制备ZnO：Ga（GZO）透明导电薄膜。主要研究了溅射功率对薄膜结构、内应力、光学和电学性能的影响,并对样品进行了相关测试。XRD测
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在室温条件下,通过射频磁控溅射法在柔性衬底PET上制备ZnO：Ga（GZO）透明导电薄膜。主要研究了溅射功率对薄膜结构、内应力、光学和电学性能的影响,并对样品进行了相关测试。XRD测试表明GZO薄膜具有六角纤维矿结构的同时具有良好的C轴择优取向生长,但是衍射角出现明显偏移,表明薄膜内部存在较大应力;SEM测试显示薄膜表面晶粒具有良好的均匀均性和致密性,随着溅射功率增加,晶粒尺寸按照一定规律变化。薄膜的平均透过率在85%左右,电阻率最低达到7.1×10^-3Ω·cm。
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