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利用磁控溅射法,在具有孔洞缺陷的铜网碳膜上成功地溅射了一层厚度100 nm,具有圆形缺陷的坡莫合金薄膜。结合常规透射电镜分析测试,研究了此类缺陷的形成机理及结构性质。利用洛伦兹透射电镜观察缺陷对周围磁矩的影响,以及在磁化反转过程中,缺陷对畴壁运动的影响。结果表明,此类缺陷是不同于膜本身的第二相弱磁性材料,它对畴壁的运动有着先排斥后吸引的钉扎作用。