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射频功率对反应溅射淀积的a—Ge:H薄膜特性的影响
射频功率对反应溅射淀积的a—Ge:H薄膜特性的影响
来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hyq20061001
【摘 要】
:
本文通过红外透射谱(IR)、拉曼散射谱、电子自旋共振谱(ESR)、光吸收谱、电导率和淀积速率的测量,比较全面地研究了射频功率对反应溅射法淀积的a-Ge:H薄膜特性的影响。发现a-Ge:H膜的淀积速率、氢量
【作 者】
:
王辉耀
王印月
【机 构】
:
兰州大学物理系
【出 处】
:
无机材料学报
【发表日期】
:
1994年2期
【关键词】
:
锗
射频功率
薄膜
无定形半导体
reactive-sputtering
amorphous germanium
radio frequency power
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本文通过红外透射谱(IR)、拉曼散射谱、电子自旋共振谱(ESR)、光吸收谱、电导率和淀积速率的测量,比较全面地研究了射频功率对反应溅射法淀积的a-Ge:H薄膜特性的影响。发现a-Ge:H膜的淀积速率、氢量、膜结构、光电性能随功率发生规律性的变化。对实验结果作了初步讨论。
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