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利用反射式高能电子衍射仪（RHEED）对微电子技术常用的Si，SrTiO3单晶基片进行了表面结构分析．研究了硅基片的不同清洗工艺对衍射图样的影响，发现衬底的处理工艺非常重要．借助于反射式高能电子的衍射图样和理论分析，计算出与理论值相近的SrTiO3基片晶格常数．结果表明，高能电子衍射仪可以被用于计算生长在基片上的外延薄膜面内晶格常数．