【摘 要】
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在室温下测量了组分x=0.170～0.443的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,并采用参考文献[4][5]中的方法确定其禁带宽度,发现与禁带宽度相当的能量处的吸收系数为α(E_g,300K)
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所
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在室温下测量了组分x=0.170～0.443的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,并采用参考文献[4][5]中的方法确定其禁带宽度,发现与禁带宽度相当的能量处的吸收系数为α(E_g,300K)=500+5600x。把该式作为用红外光吸收法测定Hg_(1-x)Cd_xTe组分的工作曲线,先测出未知组分的Hg_(1-x)Cd_xTe厚样品的吸收边,并延长到α(E_g,300K)处,得到E_g(300K)后,即可求得待测组分:
The intrinsic absorption spectra of thin samples of Hg_ (1-x) Cd_xTe with component x = 0.170 ~ 0.443 were measured at room temperature and the band gap was determined by the method in reference [4] [5] The absorption coefficient at the equivalent energy of the band width is α (E_g, 300K) = 500 + 5600x. Using this equation as the working curve of the Hg_ (1-x) Cd_xTe fraction by infrared absorption spectroscopy, the absorption edge of the Hg_ (1- x) Cd_xTe thick sample with unknown composition was measured and extended to α (E_g, 300K) Office, get E_g (300K), you can get the test components:
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