锗表面二维亚波长结构的反应离子刻蚀制备

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为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面,提高其高宽比,用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术,以SF6和02为反应气体,在Ge衬底上制备了二维亚波长结构,用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察,研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响,结果表明:刻蚀图形腰部被优先刻蚀,形成凹陷的侧壁轮廓;02流量增大有利于在侧壁形成保护层,从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀;功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大;方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构。
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