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采用发射光谱法,研究了不同时空结构四边形斑图的等离子体参量。实验发现,在低气压区和高气压区,四边形斑图表现出不同的时空结构。利用N2分子第二正带系的六条谱线强度计算了分子振动温度;利用第一负带系N+2(391.4 nm )与第二正带系N2(394.1 nm )谱线强度比,研究了电子能量的变化;利用A r原子696.54 nm谱线的展宽和频移来反映电子密度;利用A r原子特征谱线强度比法计算了电子激发温度。结果表明:低气压区四边形斑图的分子振动温度、电子激发温度和电子平均能量均大于高气压区四边形斑图,而电子