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针对siGe BiCMOS集成中材料低温特性和高温工艺的矛盾,研究了一种基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术,并进行了扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)与位错密度测试。结果表明,该生长工艺制得了高质量SiGe薄膜,其表面平均粗糙度为0.45nm,位错密度为0.3×10^3cm^-2~1.2×10^3cm^-2,图形边界处材料生长良好,未出现位错堆积。实验证实,该技术可满足SiGe BiCMOS器件制备要求。