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针对siGe BiCMOS集成中材料低温特性和高温工艺的矛盾，研究了一种基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术，并进行了扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线双晶衍射（XRD）与位错密度测试。结果表明，该生长工艺制得了高质量SiGe薄膜，其表面平均粗糙度为0．45nm，位错密度为0．3×10^3cm^-2～1．2×10^3cm^-2，图形边界处材料生长良好，未出现位错堆积。实验证实，该技术可满足SiGe BiCMOS器件制备要求。