掺杂与退火温度对VO2薄膜性能的影响

来源 :陕西科技大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:maitianquan159
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采用真空蒸发法在普通玻璃表面制备了VO2薄膜,研究了退火温度和掺杂对薄膜表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能的影响.结果表明:经400℃、420℃、450℃、500℃退火得到的VO2薄膜其表面形貌和晶体结构存在明显的差异,其中420℃退火后的薄膜结晶形态良好,主要成分是VO2,在65℃左右表现出明显的电阻突变,常温下在波长1700nm附近薄膜的光透过率达59.9%;在VO2薄膜中掺入W^6+,相变温度有所降低,但掺杂使薄膜光透过率降低.
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