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随着InSb红外焦平面阵列探测器的发展，焦平面阵列规模不断增大，像元面积越来越小。湿法刻蚀因为其各向同性刻蚀的特点，导致像元的钻蚀严重，已经难以满足大规格InSb焦平面器件的要求。采用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀大规格InSb阵列芯片，研究不同腔体压力对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法。