【摘 要】
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基于0.18 μm CMOS工艺,提出了一种低电源电压敏感度的环形振荡器电路.分析了电源噪声和衬底噪声的产生与耦合机制,以应对相位噪声的影响.对二级伪差分环形振荡器的电源电压
【机 构】
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中国科学技术大学电子科学与技术系,合肥,230021;华东师范大学通信工程系,上海,200241
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基于0.18 μm CMOS工艺,提出了一种低电源电压敏感度的环形振荡器电路.分析了电源噪声和衬底噪声的产生与耦合机制,以应对相位噪声的影响.对二级伪差分环形振荡器的电源电压敏感度进行了定量分析.基于分析结果,设计了基于电流源的补偿偏置电路,有效降低了环形振荡器的电源电压敏感度.后端仿真结果表明,振荡器的电源电压敏感度达到0.05％@1％VDD,功耗为4.5mW.
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