松下电器开发超高速、低压16M位DRAM

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论包器公司开发了世界最高速16MDRAM本产技术特点如下:(l)采仅输入信号使放大器活化的随意定时高速放大电路,采用充放电缩短延迟时间的电流感应使逻辑振癌变小的高速电路,其它新式高速电路等技术。(2)采用O.SHin设计规则的工艺技术,存储器单元来用堆栈式,品体管采用L On the package company developed the world’s highest speed 16MDRAM The technical features of the product are as follows: (l) only take the input signal to activate the amplifier random timing high-speed amplifier circuit, the use of charge and discharge to shorten the delay time of the current sense to make the logic of small high- , Other new high-speed circuits and other technologies. (2) using O. SHin design rules of the technology, the memory cell to use the stack, the body of the tube L
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