硅基热电堆真空传感器的耦合场分析

来源 :纳米技术与精密工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kongque168
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利用商业化的1.2μm标准CMOS生产流水线,配合无掩模体硅各向异性腐蚀工艺,制造了一种热电堆型真空传感器,器件敏感部分尺寸为124um×100μm,由5层薄膜组成,最大厚度为3.2μm.采用一种简化方式对传感器建立有限元模型.新模型一方面忽略了气体对流和热辐射的传热作用,另一方面将各层介质和热电堆结构层分别进行了合并.模型具有简单的断面结构,网格划分容易,收敛速度快.运用ANSYS软件对模型进行了电一热、热一电耦合场分析,直接得到了1.5v加热电压驱动时不同压强下的热电堆输出电压,并与0.1~
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