【摘 要】
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设计了一种基于新型像素结构的高速低功耗图像传感器芯片.芯片采用提出的梯度掺杂掩埋型光电二极管(PPD)和非均匀掺杂沟道传输管的像素结构,有效地提高了PPD中光生载流子的横
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院大学材料与光电研究中心,中国科学院脑科学与智能技术卓越创新中心
【出 处】
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天津大学学报(自然科学与工程技术版)
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61704167);北京市重点研发计划资助项目(Z181100008918009)~~
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设计了一种基于新型像素结构的高速低功耗图像传感器芯片.芯片采用提出的梯度掺杂掩埋型光电二极管(PPD)和非均匀掺杂沟道传输管的像素结构,有效地提高了PPD中光生载流子的横向转移速度,降低了光生载流子的残留,减少了图像传感器芯片的拖尾现象.芯片采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列,降低了图像传感器芯片的整体功耗.图像传感器芯片采用0.18μm CMOS工艺制备,像素尺寸为18μm×18μm,数字量化精度为12 bit.设计了高速CMOS成像系统,并在暗室环境下搭建了图像传感器的光电测试平台.测试得
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