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采用常压化学气相沉积法（APCVD），分别以金属镓（Ga），铟（In）和氨气（NH3）为镓源，铟源和氮源，在Si衬底上利用催化剂Au成功合成了不同形貌的InxGa1-xN纳米材料。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM），X射线光电子能谱（XPS）和光致发光谱（PL）对比研究了InxGa1-xN（x=0，0.25）纳米材料在形貌，化学成分，晶体结构以及发光特性的变化。分析结果表明：当没有催化剂时，所生成的InxGa1-xN样品形貌由片状结构自组装成花状结构，而在催化剂Au的作用下，生成的Inx