【摘 要】
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化学气相沉积（CVD）制备的金刚石膜表面粗糙且厚薄不均匀,在许多情况下不能直接使用,必须对其进行抛光。本文研究了不同型号的金刚石微粉对CVD金刚石厚膜研磨的影响,通过对研磨
【机 构】
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武汉工程大学湖北省微波等离子体化学与新材料重点实验室
【基金项目】
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湖北省科技攻关计划项目（2002AA105A02）湖北省高等学校优秀中青年科技创新团队资助计划项目
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化学气相沉积（CVD）制备的金刚石膜表面粗糙且厚薄不均匀,在许多情况下不能直接使用,必须对其进行抛光。本文研究了不同型号的金刚石微粉对CVD金刚石厚膜研磨的影响,通过对研磨结果的比较分析,优化出一种高质量高效率的抛光方法,即先采用W40和W28金刚石微粉,分别研磨2 h,然后用W0.5金刚石微粉研磨4 h。经扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）测试分析表明：金刚石膜的平均去除率为12.2μm/h,粗糙度Ra由4.60μm降至3.06 nm,说明该抛光方法能实现金刚石膜高质量、高效率的抛光。
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