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金属／绝缘层／硅（ＭＩＳ）隧道发光二极管的发光机理可以归结为表面等离极化激元（ＳＰＰ）与界面粗糙度的耦合。电流－电压特性曲线中６．５Ｖ附近的一外负阻和发射光谱中４７５ｎｍ的蜂显示，在硅／二氧化硅界面激发起了与之相应的等离体振荡。
金属／绝缘层／硅（MIS）隧道二极管的发光机理
【摘 要】
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金属／绝缘层／硅（ＭＩＳ）隧道发光二极管的发光机理可以归结为表面等离极化激元（ＳＰＰ）与界面粗糙度的耦合。电流－电压特性曲线中６．５Ｖ附近的一外负阻和发射光谱中４７５ｎｍ的蜂显示，在硅／二氧化硅界面激发起了与
【机 构】
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东南大学电子工程系,中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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