si衬底上MBE GaAs MESFET与IC制备

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fzflash

【摘要】

：

叙述在MBE(分子束外延)GaAs/Si材料上制作GaAs MESFET与Ic的研究。考虑到GaAsIC与Si IC单片集成的需要,采用了Ti/TiW/Au肖特基金属化和Ni/AuGe/Ni/Au欧姆接触金属化,层间介质

【作者】

：

庄庆德李明祥钱文生童勤义林新民

【机构】

：

东南大学微电子中心,八达微波器件厂

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1992年3期

【关键词】

：

分子束金属半导体场效应管衬底 Molecular Beam Epitaxy Metal Semiconductor Fieldistor Metall

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叙述在MBE(分子束外延)GaAs/Si材料上制作GaAs MESFET与Ic的研究。考虑到GaAsIC与Si IC单片集成的需要,采用了Ti/TiW/Au肖特基金属化和Ni/AuGe/Ni/Au欧姆接触金属化,层间介质采用等离子增强淀积氮化硅和聚酰亚胺复合材料。在该工艺基础上,制备了性能良好的GaAs/Si MESFET与IC。

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