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利用化学腐蚀方法制备硅微尖阵列，利用ＭＷ－ＰＣＶＤ工艺生产金刚石膜，利用扫描电镜（ＳＥＭ），Ｘ射线衍初步研究了金刚石膜的性质。表明微尖尖端具有成核优势，金刚石膜择优沿（１１１）方向生长。
利用CVD方法制备金刚石冷阴极的研究
【摘 要】
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利用化学腐蚀方法制备硅微尖阵列，利用ＭＷ－ＰＣＶＤ工艺生产金刚石膜，利用扫描电镜（ＳＥＭ），Ｘ射线衍初步研究了金刚石膜的性质。表明微尖尖端具有成核优势，金刚石膜择优沿（１１１）方向生长。
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,吉林大学超硬材料国家重点实验室
【出 处】
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电子显微学报
【发表日期】
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1997年4期
【基金项目】
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吉林大学超硬材料国家重点实验室资助
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