沉积在硅尖上的氮化硼薄膜的场发射特性

来源 :延边大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhaoshi88
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利用射频磁控溅射方法,在硅尖上沉积了氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1380cm^-1和780cm^-1).在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性,与沉积在硅片上的BN薄膜比较,沉积在硅尖上的BN薄膜的场发射特性明显提高.开启电场为8V/μm,最高发射电流为300μA/cm^2.沉积在硅尖上的BN薄膜的场发射FN曲线为两段直线,这可能是由于电子发射源于硅尖的尖部和根部造成的.
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