【摘 要】
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目前,国内半导体器件生产过程对硅外延材料层错的检验,基本上都是采用破坏性检测(即化学腐蚀显微观察方法)。去年我厂采用改制进口双目立体显微镜,可以直接观察层错,取得一些
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目前,国内半导体器件生产过程对硅外延材料层错的检验,基本上都是采用破坏性检测(即化学腐蚀显微观察方法)。去年我厂采用改制进口双目立体显微镜,可以直接观察层错,取得一些效果。但在鉴定过程中认为:原显微镜的分辨率在改制后大大降低,所能观察到的层错不够清晰,而且只能观察外延层厚8μ以上的层错,对于薄外延层的层错就无法看清。而且对显微镜的光路与层错的成象理论以及层错表面的空间几何结构是什么状态等问题,都不能进行解释。本文对测量技术进行了理论探讨,经反复试验推理,认为层错形成表面几何结构是“凹进去的沟”。作者提出不
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