PTCBI作为阴极修饰层对Rubrene/C_(70)器件性能的影响

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制备了结构为ITO/MoO_3(6 nm)/Rubrene(30 nm)/C_(70)(30 nm)/PTCBI(x nm)/Al(150 nm)器件,研究了四羧基苝的衍生物PTCBI作为阴极修饰层对Rubrene/C_(70)有机太阳能电池的作用.实验结果显示,在C_(70)与Al电极之间插入PTCBI后,电池性能得到明显改善;分析表明,插入PTCBI后,活性层与阴极形成了良好的欧姆接触,提高了器件的内建电场,同时PTCBI避免了激子与Al电极的接触,减少了在制备过程中高动能Al对C_(70)的破坏.进
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