【摘 要】
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针对远红外探测器衬底制造对高品质碲锌镉单晶材料的需求,为了满足高品质碲锌镉单晶生长对高纯度原材料的需要,基于区熔提纯原理与工艺实现方法设计出一种由区熔炉炉体、移动加热装置、气路系统和电气控制系统等组成的分布式碲锌镉晶体制备材料区熔提纯炉.采用氢气除杂、氮气保护和伺服机构控制加热温度场移动的方法来实现区熔提纯.在区熔窄区宽度为15 mm和倾斜角度为7°的条件下,开展了碲、锌和镉等原材料的区熔提纯实验.结果 表明,当加热温度高于材料熔点50 K且移动速度为0.006 mm·s-1时,区熔加热装置往复移动10次
【机 构】
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云南农业大学机电工程学院,云南昆明650201;昆明沃特尔机电设备有限公司,云南昆明650204;昆明物理研究所,云南昆明650223;昆明沃特尔机电设备有限公司,云南昆明650204
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针对远红外探测器衬底制造对高品质碲锌镉单晶材料的需求,为了满足高品质碲锌镉单晶生长对高纯度原材料的需要,基于区熔提纯原理与工艺实现方法设计出一种由区熔炉炉体、移动加热装置、气路系统和电气控制系统等组成的分布式碲锌镉晶体制备材料区熔提纯炉.采用氢气除杂、氮气保护和伺服机构控制加热温度场移动的方法来实现区熔提纯.在区熔窄区宽度为15 mm和倾斜角度为7°的条件下,开展了碲、锌和镉等原材料的区熔提纯实验.结果 表明,当加热温度高于材料熔点50 K且移动速度为0.006 mm·s-1时,区熔加热装置往复移动10次以上,可将碲锌镉晶体制备所需的原材料纯度由6N(99.9999％)提高到7N(99.99999％);分布式碲锌镉晶体制备材料区熔提纯炉的加热温度、加热装置移动速度和移动稳定性较好.
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介绍了钒铝合金的主要用途及其生产方法,针对铝热法生产钒铝合金过程中钒收率偏低的问题进行了试验.结果 表明:采用不同原料生产钒铝合金时,99.0％ V2O5适应性比较强,大部分铝粉都能满足要求.98.5％ V2O5由于含量相对较低,必须选用活性较好的铝粉,才能够获得较高的钒收率.生产钒铝合金过程中,单位反应热量控制在3100～3200 kJ/kg,采用Al2O3-CaO-CaF2渣系,采用700 mm×700 mm×1000 mm的炉体,V2O5投料量为200 kg时,钒收率可以超过98％.
建立一种用酸分解试样定容后,连续测定锌、镉含量的方法.第一步返滴定,在pH5.6～5.8的乙酸-六次甲基四胺缓冲溶液中,用过量Na2EDTA标准溶液络合锌、镉,以二甲酚橙为指示剂,用锌标准溶液返滴定,测得结果为锌镉合量.第二步置换滴定,以过量Na2 EDTA标准溶液络合锌、镉,再加入碘化钾络合镉,置换释放出与镉络合的Na2EDTA,在pH5.65.8的乙酸-六次甲基四胺缓冲溶液中,以二甲酚橙为指示剂,用锌标准溶液返滴定,测得结果为锌量.以锌镉合量减去锌量即为镉量.方法 对镉渣中锌、镉的测定值相对标准偏差0
针对活塞环打磨过程中加热柴油而产生的烟气污染,采用循环冷却柴油方式不仅较好地解决了车间内环境和对外排放产生的环保问题,而且减少了运营成本.
研究了一种能够在高温环境中与钽钨合金配套使用,具有韧性好、与基材结合力强、结构致密、性能优异的钽钨合金高温抗氧化涂层材料及其制备方法,解决了新型超音速发动机研制中钽钨合金螺套高温抗氧化防护涂层制备的难题.使钽钨合金涂层能够广泛应用在航空航天、武器装备、原子能及化工工业领域中类似弹簧螺套这种在安装或工作过程中会产生形变时涂层不会受损的高温结构部件上.
根据临武透闪石玉的岩石矿物学特征、结构特征和外观特征的研究,初步建立了颜色、净度、绺裂和纯度四个方面组成的质量等级划分体系,最后根据四个维度的不同组合建立了临武透闪石玉原石质量等级综合评价表,为原石公盘交易和矿权评估提供参考.
用定量金相图像分析软件在所选定的视场选择一定数目的 线条进行平行等距切割,再运用截线法测量通过钻相的线段,计算出钴相分布和平均自由程数据.方法 简便快速,适用于生产研发分析.
建立了电感耦合等离子原子发射光谱(ICP-AES)法测定含铍污水中铍铜铬铁元素的分析方法.将100 mL含铍污水于聚四氟乙烯烧杯酸化,蒸干去除有机物,再浸取定容后,配制混合标准溶液,在优化的试验条件下,同时实现铍铜铬铁量的测定.采用生产实际排放含铍污水进行加标回收试验,铍铜铬铁元素加标回收率为99.0％～101.8％;对实际污水样本进行测定精密度试验,方法精密度(RSD,n=9)为0.42％～1.12％;将该试验方法中铍的测定数据与国家标准方法(石墨炉-原子吸收光谱法及分光光度法)比较,测定结果一致.表明
主要介绍了Ⅱ类超晶格探测器芯片双波段背增膜在探测器中的作用及其膜系设计与制备工艺.该膜的作用是减小探测器芯片表面在响应波段(3～5μm及7～9μm)对红外光的反射率,增强芯片的光响应率,从而提高芯片性能.研究并解决了背增膜在设计与制备工艺中的主要技术问题.根据探测器的使用环境对薄膜进行了相应的牢固性实验及测试.结果 表明,此薄膜的光谱响应率和牢固度能充分满足探测器的要求.目前这项背增透薄膜制备工艺已是Ⅱ类超晶格探测器生产中不可缺少的工艺步骤,应用前景良好.
芯片制备工艺完成后,给芯片留有一定厚度的衬底,同时利用丝切割技术将多余的碲锌镉衬底取下,并对其进行重复抛光处理.碲锌镉衬底的锌值分布及半高宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)测试结果表明,碲锌镉衬底质量较好,可以再次用来制备液相外延碲镉汞薄膜.该薄膜经过标准探测器芯片工艺后,性能合格.该研究使原本要完全去除的衬底得以重复利用,提高了碲锌镉衬底的利用率,降低了探测器的制造成本.
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