【摘 要】
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室温下,利用射频磁控溅射技术在p型〈100〉硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管（IGZO TFT）。结果表明,不同氧分压的IGZO薄膜呈非晶态;随着氧分压的增大其光学带
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室温下,利用射频磁控溅射技术在p型〈100〉硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管（IGZO TFT）。结果表明,不同氧分压的IGZO薄膜呈非晶态;随着氧分压的增大其光学带隙先增大后减小;IGZO TFT场效应迁移率先增大后减小,器件由耗尽型转变为增强型。当氧分压为7.47%时,IGZO TFT电学性能最好,场效应迁移率为4.44 cm2/（V·s）,亚阈值摆幅的值是2.1 V/decade,电流开关比大于105。
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