【摘 要】
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2006年4月Nantero公司推出22nmNRAM存储器开关。NRAM是由纳米线制作的存储器,它包括纳米晶体管沟道存储器、纳米MEMS存储器和单分子晶体管单元存储器。这种22nmNRAM是一种可
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2006年4月Nantero公司推出22nmNRAM存储器开关。NRAM是由纳米线制作的存储器,它包括纳米晶体管沟道存储器、纳米MEMS存储器和单分子晶体管单元存储器。这种22nmNRAM是一种可写存储器,无需电能就可保持数据内容,有望成为通用存储器。22nmNRAM开关通过3ns周期时间进行数据读写的
April 2006 Nantero Corporation Introduces 22nmNRAM Memory Switch. NRAM is a memory made of nanowires that includes nanocrystal channel memory, nanoscale MEMS memory, and monomolecular transistor cell memory. This 22nmNRAM is a writeable memory that retains data content without the need for power and is expected to become a universal memory. 22nmNRAM switch data read and write through 3ns cycle time
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