【摘 要】
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本文利用多栅晶体管技术,设计了一种共栅跨导级混频器。通过Volterra级数对该电路进行非线性分析,该结构能大大改善电路的线性度。采用TSMC0.18μmCMOS工艺,在ADS2008环境下
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本文利用多栅晶体管技术,设计了一种共栅跨导级混频器。通过Volterra级数对该电路进行非线性分析,该结构能大大改善电路的线性度。采用TSMC0.18μmCMOS工艺,在ADS2008环境下进行仿真,仿真结果表明,该电路的单边带噪声系数为12.288dB,双边带噪声系数为9.043dB,转换增益为3.346dB,IIP3为20.28dBm。
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