半导体二氧化锰被覆工艺探讨

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CA型固体电解质钽电容器的制造方法是:把高纯钽粉加压成型后,烧结成多孔性的阳极决,将阳板块在电解液中形成一层介质氧化膜(Ta_2O_5),再在氧化膜上适当地附着半导体层,然后涂覆导电石墨乳和铅锡合金,最后搭接阳极引出线与外壳装配焊封而成。所附半导体层普遍是热分解硝酸锰[Mn(NO_3)_2)得到的固体二氧化锰。因电解质是固体,从根本上摆脱了漏液、干涸等 CA type solid electrolyte tantalum capacitor manufacturing method is: the high purity tantalum powder pressure molding, sintered porous anode decision, the positive plate in the electrolyte to form a layer of dielectric oxide film (Ta_2O_5), and then in the oxide film On the appropriate attachment of the semiconductor layer, and then coated with conductive graphite and pewter, and finally lap anode leads and shell assembly welded together. The attached semiconductor layer is generally a solid manganese dioxide obtained by thermally decomposing manganese nitrate [Mn (NO 3) 2]. Due to the electrolyte is solid, fundamentally get rid of leakage, dry and so on
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