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针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化，建立了热平衡态下Gat-xImN，Ast-，合金中各二元化合键的统计分布模型．并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中，对退火后的Ga1-xInN，As1-y体材料带隙进行了计算．最后，利用讨论BAC模型中电子波函数边界条件的方法，计算了无应变Ga1-xInNyAs1-y／GaAs量子阱的带隙．