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本试验以福氏志贺菌和印护突变体（敲除基因，mdoD的福氏志贺菌）为出发菌株，研究了福氏志贺菌基因叩护在低渗和正常渗透压条件下，在标准培养基和洗菜水中对细菌生长、耐热击及耐酸碱能力的影响。试验结果表明：在标准培养基中，opgD突变体生长效率比福氏志贺菌低，提高渗透压后突变体与福氏志贺菌生长曲线相似；在不同的洗菜水中，opgD突变体生长曲线不同，其生长速率明显比福氏志贺菌慢，加盐提高渗透压之后，福氏志贺菌和opgD突变体对数生长期均提前；福氏志贺菌和opgD突变体的抗性试验结果表明：opgD突变体抗热击的能力