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本试验以福氏志贺菌和印护突变体(敲除基因,mdoD的福氏志贺菌)为出发菌株,研究了福氏志贺菌基因叩护在低渗和正常渗透压条件下,在标准培养基和洗菜水中对细菌生长、耐热击及耐酸碱能力的影响。试验结果表明:在标准培养基中,opgD突变体生长效率比福氏志贺菌低,提高渗透压后突变体与福氏志贺菌生长曲线相似;在不同的洗菜水中,opgD突变体生长曲线不同,其生长速率明显比福氏志贺菌慢,加盐提高渗透压之后,福氏志贺菌和opgD突变体对数生长期均提前;福氏志贺菌和opgD突变体的抗性试验结果表明:opgD突变体抗热击的能力