【摘 要】
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本文报导了用CVD的方法在InP、InGaAsP四元层表面淀积Si_3N_4薄膜的工艺。并对影响Si_3N_4薄膜的淀积速率、折射率、腐蚀速率的各种因素进行了实验和分析。实验结果表明:用该
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本文报导了用CVD的方法在InP、InGaAsP四元层表面淀积Si_3N_4薄膜的工艺。并对影响Si_3N_4薄膜的淀积速率、折射率、腐蚀速率的各种因素进行了实验和分析。实验结果表明:用该方法所淀积的Si_3N_4薄膜,重复性、均匀性都较好,该薄膜已较好地用于激光器的研制中,作为窄条光刻腐蚀保护膜和扩散掩蔽膜,得到了理想的效果。
This paper reports the deposition of Si_3N_4 thin films on the surface of InP and InGaAsP quaternary layers by CVD. Various factors affecting the deposition rate, refractive index and corrosion rate of Si_3N_4 thin films were also investigated and analyzed. The experimental results show that Si3N4 thin films deposited by this method have good repeatability and uniformity. The thin films have been well used in the development of lasers. As a narrow strip lithography etching protective film and diffusion masking film, The ideal effect.
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