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分析了光MOS固体继电器在电离辐照条件下的失效模式, 并针对组成器件的不同元器件提出了抗辐射的设计方案。采取了包括优化材料、合理设计器件结层厚度、选用抗辐射能力强的钝化膜等工艺技术制作样品, 并通过试验对比确认了抗辐射方案的有效性, 结果表明, 器件抗辐照能力大于30krad(Si), 能够满足对星用光MOS固体继电器抗辐射能力的要求。