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通过提高MIM电容的调整范围，实现了一个覆盖3．2～6．1GHz的CMOS LC VCO．该VCO使用0．18μm射频CMOS工艺制作，芯片面积约为1260μm×670μm．当输出5．5GHz时，VCO内核消耗功率为17．5mW；在100kHz频偏处的相位噪声是-101．67dBc／Hz．
频率覆盖3．2～6．1GHz的CMOS LC VCO
【摘 要】
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通过提高MIM电容的调整范围，实现了一个覆盖3．2～6．1GHz的CMOS LC VCO．该VCO使用0．18μm射频CMOS工艺制作，芯片面积约为1260μm×670μm．当输出5．5GHz时，VCO内核消耗功率为17．5mW；在10
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目
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