镍对冶金法制备多晶硅电学性能的影响

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电阻率是多晶硅材料最重要的参数之一,通过高温扩散镍杂质到多晶硅中,利用四探针电阻测试仪、金相显微镜、扫描电镜(SEM)、电感耦合等离子发射光谱仪(ICP)、能谱分析(EDS),X射线衍射仪(XRD)等设备,研究了镍对多晶硅电阻率的影响及机制。研究结果表明:镍杂质使N型多晶硅电阻率增加,使P型多晶硅电阻率减小;高温冷却后,大量的镍与硅形成NiSi2析出相在多晶硅表面析出,并对硅中的铁有吸附作用,由于铁含量少而形成Fe0.42Si2.67新相且在表面析出,这些硅化物会引起电阻率的变化。
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