【摘 要】
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利用溶胶 凝胶法合成出纳米晶SnO2 薄膜 ,该薄膜可以利用化学腐蚀方法光刻腐蚀 ,因此采用传统硅平面工艺可以制作出纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件 ,实现了制备纳米晶材料
【机 构】
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吉林大学电子工程系集成光电子国家重点实验室吉林大学分区!长春130023,中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春130021,吉林大学电子工程系集成光电子国家重点实验室吉林大学分区!长春130023
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利用溶胶 凝胶法合成出纳米晶SnO2 薄膜 ,该薄膜可以利用化学腐蚀方法光刻腐蚀 ,因此采用传统硅平面工艺可以制作出纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件 ,实现了制备纳米晶材料的溶胶 -凝胶工艺与硅平面工艺的兼容。对器件的测试结果表明 ,纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件可以在常温下工作 ,元件的漏电流在乙醇气体中减小 ,掺杂镧以后 ,漏电流变化幅度增大
Nanocrystalline SnO2 thin films can be synthesized by sol-gel method. The thin films can be lithographically etched by chemical etching. Therefore, the nanocrystalline SnO2 thin film gate FET gas sensors can be fabricated by the conventional silicon planar process, Sol-gel process compatible with silicon planar process. The test results of the device show that the nanocrystalline SnO2 thin film gate FET gas sensor can work at room temperature and the leakage current of the device decreases in the ethanol gas. After the lanthanum is doped, the variation of the leakage current increases
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