基于薄片模型的电荷自洽参数化紧束缚计算半导体表面结构的方法和实践(英文)

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cczxokli
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In this paper, we will discuss four aspects about the parameterized tight-binding method (PTBM) applying to slab models: 1. the advantages and disadvantages of the non-self consistent PTBM; 2. the formulas of the charge self consistent PTBM; 3. a triple mixing scheme to overcome the divergence problem and 4. the application to the Si(001)-2×1 dimer model and the Si(111)- T4 model. In this paper, we will discuss four aspects about the parameterized tight-binding method (PTBM) applying to slab models: 1. the advantages and disadvantages of the non-self consistent PTBM; 2. the formulas of the charge self consistent PTBM; 3 a triple mixing scheme to overcome the divergence problem and 4. the application to the Si (001) -2 × 1 dimer model and the Si (111) - T4 model.
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