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采用单-双靶交替溅射法低温沉积了纳米晶硅多层薄膜（nc-SiOx/a-SiOx），通过改变a-SiOx势垒层的厚度和化学成分比例，实现了纳米晶硅多层薄膜的低温过程控制。透射电子显微镜（TEM）结果显示，a-SiOx层太薄，不能有效阻断纳米硅生长，导致多层周期结构在后期沉积过程中受到破坏；增加a-SiOx层厚度，周期性结构生长得以实现，但仍有部分纳米硅穿透a-SiOx势垒层；傅里叶变换红外光谱（FTIR）分析表明，薄膜中的氧化反应以及活性氢对物相分离过程的促进作用均对纳米硅生长有影响。进而增加a-SiOx层