论文部分内容阅读
动态存储器(DRAM)需要通过刷新来保持内部的数据。为降低存储器刷新过程的电路功耗,设计一种具有温度自适应特性的刷新控制电路。根据二极管的电流在闽值电压附近的温度特性,利用电容充放电的结构,提出一种具有温度自适应特性的刷新时钟电路,使存储器刷新频率随电路温度变化而变化,其趋势符合动态存储器的刷新要求。仿真实验结果表明,新的电路在保证DRAM信息得到及时刷新的前提下,有效地降低了其刷新过程中的功耗。