交叉关联的加性白噪声和乘性色噪声驱动的光学双稳系统的关联函数研究

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Considering an optical bistable system with cross-correlated additive white noise and multiplicative colored noise, we study the effects of correlation between the noises on the correlation function C(s) using the unified colored noise approximation and the Stratonovich decoupling ansatz formalism. The effects of the self-correlation time \tau of the multiplicative colored noise and the correlation intensity \lambda between the two noises are studied with numerical calculation. It is found that C(s) increases with the increase of the self-correlation time \tau, but decreases with the increase of the correlation intensity \lambda. At large value of \tau, there is almost no change for C(s) when  changes.
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介绍了一种基于步进电机的光开关,主要用于间歇型原子钟。采用直径为6 mm的两相步进电机,结合不同形状的挡光叶片,实现了对光的开启与关断。采用步进电机驱动芯片TMC260和微控制器STC12C5A60S2结合的方式控制步进电机的转动。该控制系统整体结构紧凑,且一个微控制器可以控制多个步进电机。实验结果表明,利用该光开关可实现高于100 dB的消光比,并且可长时间稳定运行。
利用角谱理论, 分别研究了高斯光束在空气与负、近零、超大折射率超常材料界面上的反射光束角移现象, 揭示了光束角移与传统古斯亨兴位移和伊姆伯特费多罗夫位移的联系与区别。研究发现, 光束角移随着折射率及损耗的减小而增大; 在负折射率介质界面, 角移可能抵消负的古斯亨兴位移, 从而导致光束的纵向位移为正。此外, 在近零折射率超常材料界面, 在较大范围内不存在横向角移, 而在极大折射率超常材料界面, 横向角移极小。因此, 零折射率和超大折射率超常材料可以用来避免反射光束角移导致的角色散。
本文以图象全息术为重点,简单论述基本方法和原理,随后讨论最新的发展。
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激光通讯被认为是相干光最有价值的应用之一,但同时也是激光技术中最麻烦的问题之一。这里要解决两个问题:合适的传输通道以及光讯号的调制和解调方法。美帝贝耳实验室正在研究几种做调制器和谐波发生器的非线性光学晶体。他们指出,电-光效应强的那些材料有可能成为谐波发生器。他们在探讨过程中研究了很多材料,但多数都没有用。他们发现用铌酸锂这种材料做谐波发生器非常有效。最近发现,铌酸钡锶和铌酸钡钠这两种新材料的非线性效应甚至比铌酸锂还强,它们能做成更有效的谐波发生器和调制器。
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电容触摸屏存在表面反射率高、眩光、辐射能量高和易受干扰等缺点,这阻碍了电容触摸屏在高端显示器上的应用。研究发现,对电容触摸屏表面玻璃进行AR和AG处理,并配合使用圆偏光片,可以将反射率由6.8%降至0.85%,同时实现防眩光效果;且通过对电容触摸屏进行屏蔽、接地和参数调整,能有效降低其辐射发射能量,并提高抗干扰能力。
松下电器产业公司声学研究所受日本电子工业振兴协会的委托,开发出将声信号直接作激光强度调制变换的超小型传感器测头(φ2.9毫米)和光纤式高灵敏度激光传感器。
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为了满足激光推进、光电对抗等应用领域的需要,研制了一台高单脉冲能量高重复频率新型TEA CO2激光器。采用紫外(UV)预电离双路Ernst石墨电极串并联放电结构、超薄水冷不变形镜折叠腔、双回路直冷式封闭循环流动系统和高压大电流快脉冲开关电源等技术,解决了高功率高压电容充电、高气压大体积均匀辉光放电、高气压高速均匀流场、激光谐振腔和高脉冲能量、高重复频率脉冲激光输出等技术难题。成功研制了一台最大脉冲激光能量92 J,重复频率35 Hz,激光输出发散角1.4 mrad,脉冲能量稳定性0.8%,平均功率大于30
A split gate MOSFET (SG-MOSFET) is widely known for reducing the reverse transfer capacitance (CRSS). In a 3.3 kV class, the SG-MOSFET does not provide reliable operation due to the high gate oxide electric field. In addition to the poor
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