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采用离子注入的方法在氮化铝薄膜中实现Pr3＋和Tm3＋元素的单掺杂和共掺杂。以Raman光谱为主要表征手段,对离子注入过程中薄膜内部的应力变化进行研究;以阴极荧光为主要表征手段,对其低温和室温下的发光特性进行研究。Raman光谱的结果显示,离子注入过程使得薄膜内部应力下降,而退火过程使得薄膜内部应力升高。阴极荧光光谱结果显示,Al N∶Pr3＋主要跃迁峰位于528 nm;Al N∶Tm3＋主要跃迁峰位位于467 nm;Al N∶Pr3＋,Tm3＋主要跃迁峰位位于528 nm和467 nm。Al N∶Tm3