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报道了制备在50mm石英玻璃衬底上的透明氧化锌薄膜晶体管（ZnO-TFT），采用了底栅和顶栅两种结构进行比较．ZnO沟道层由射频磁控溅射方法制备，SiO2薄膜作为栅绝缘层．结果发现底栅结构的ZnO-TFT具有较好的电学性质，该器件工作在n沟道增强模式，具有较好的夹断效应和饱和特性，其场效应迁移率、阈值电压和电流开关比分别为18.4cm^2／（V·s），-0．5V和10^4．顶栅结构的ZnO-TFT则工作在n沟道耗尽模式，没有明显的饱和特征．不同结构ZnO-TFT电学性质的差别可能是由于不同的Zn