【摘 要】
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文章基于0.18μm CMOS工艺制程的1.8V NMOS器件,从工艺的角度并用TLP测试系统对栅极接地的NMOS(GGNMOS)ESD器件进行比较分析。介绍了SAB和ESD注入对GGNMOS的性能影响,影响GGN
【机 构】
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苏州市职业大学电子系,昆泰集成电路上海有限公司
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文章基于0.18μm CMOS工艺制程的1.8V NMOS器件,从工艺的角度并用TLP测试系统对栅极接地的NMOS(GGNMOS)ESD器件进行比较分析。介绍了SAB和ESD注入对GGNMOS的性能影响,影响GGNMOS ESD性能的瓶颈是均匀开启性。在GGNMOS版图等其他特征参数最优的前提下,采用SAB能改善其均匀开启性,从而改进ESD性能。GGNMOS的瞬态触发电压在7V左右,不会造成栅氧可靠性威胁,因此,采用PESD并非必需。
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