【摘 要】
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在不同的热氧化温度下，用液相生长热氧化法（RGTO）制备了SnO2薄膜。探讨了热氧化温度对SnO2薄膜结构和成分的影响，并进一步研究了不同热氧化温度下制备的SnO2薄膜的气敏性能。测试
【机 构】
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北京有色金属研究总院先进电子材料研究所
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在不同的热氧化温度下，用液相生长热氧化法（RGTO）制备了SnO2薄膜。探讨了热氧化温度对SnO2薄膜结构和成分的影响，并进一步研究了不同热氧化温度下制备的SnO2薄膜的气敏性能。测试结果表明：260℃工作温度下，600℃热氧化制备的SnO2薄膜气敏元件，对氢气的灵敏度最佳。在100-1000mg·kg^-1的氢气浓度范围内，灵敏度由47递增至70。
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