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本文根据双模干涉理论设计并研制了GaAs同质结材料对称耦合波导型光开关/光调制器。利用自对准工艺技术获得了良好的电极对称性,经测试器件消光比达20dB以上,开关特性良好。高速开关特性测试正在进行中。预计该器件在开关列阵、高速光调制方面有较广泛地应用。
GaAs对称耦合波导型光开关研究
【摘 要】
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本文根据双模干涉理论设计并研制了GaAs同质结材料对称耦合波导型光开关/光调制器。利用自对准工艺技术获得了良好的电极对称性,经测试器件消光比达20dB以上,开关特性良好。
【机 构】
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浙江大学信息与电子工程学系,浙江大学信息与电子工程学系
【出 处】
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光电子．激光
【发表日期】
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1992年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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