静电感应晶体管高频功率参数的控制

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以对静电感应晶体管(SIT)的直流参数的研究为基础,详细研究了与SIT高频性能有关的参数的控制与调节。在高频状态下,器件引线寄生电感的影响变得严重,使得对器件的封装有了新的要求,本文对这一问题也进行了探讨。 Based on the study of DC parameters of SIT, the control and adjustment of parameters related to high frequency performance of SIT are studied in detail. In the high frequency state, the parasitic inductance of the device lead becomes serious, which makes the packaging of the device have new requirements. This paper also discusses this problem.
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