【摘 要】
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利用甚高频等离子体增强化学气相沉积法(VHF-PECVD),通过改变氢稀释比制备出一系列硅薄膜样品。由弱光条件下光电导谱分析了材料的吸收系数及缺陷态密度,结果表明随着氢稀释
【机 构】
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中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,
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利用甚高频等离子体增强化学气相沉积法(VHF-PECVD),通过改变氢稀释比制备出一系列硅薄膜样品。由弱光条件下光电导谱分析了材料的吸收系数及缺陷态密度,结果表明随着氢稀释比的增加,材料的长波响应增大,缺陷态密度(NS)逐渐减小,当大于16.7时,NS开始增加,这是杂质与晶粒间界相互作用的结果。
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