恒电位法制备氧化亚铜薄膜工艺的研究

来源 :合肥师范学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:luyunlongal1127
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本文探索了以CuSO4·5H2O为铜源,乳酸为络合剂,应用恒电位法在导电玻璃(ITO)上沉积Cu2O薄膜的工艺条件.主要研究了Cu2+与络合剂乳酸的摩尔比、络合时间、溶液的pH及电镀面积对薄膜结构的影响规律.通过X-射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其结构和形貌进行了表征.结果表明:在Cu2+与乳酸的摩尔比为1∶4~1∶7,pH=9~11的特定参数范围内的Cu2O膜为砖红色,膜面均匀致密,属于立方晶系结构,晶体择优(200)面生长.
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